Proseso ti panagaramid ti anti reflective film .

Proseso ti Teknolohikal .
Mangted kadagiti materiales ti panagdakkel ken dagiti taudan ti gas: mangipaay kadagiti materiales ti panagdakkel para iti anti reflective film, kas ti SIO kadagiti sumagmamano a pannakaiparang, bayat a mangipaay kadagiti gubuayan ti gas a maitunos kadagiti materiales ti panagdakkel, a kas dagiti kombinasion ti taudan ti gas ti SIH ₄, N 2, ken N.
Pormasion ti anti reflection layer: Usaren ti isu met laeng a material ti panagdakkel tapno agsasaruno a mangporma iti di kumurang a dua nga anti reflection layers ti anti reflection film iti substrate layer. Ti substrato a suson ket mabalin a mangiraman ti SiO a sapasap, SI a sapasap, ken ti panagsebseb a suson nga agsasaruno iti direksion ti panagdakkel ti pelikula. Ti panangala ti dua a-layer nga anti reflection layer (umuna nga anti reflection layer ken maikadua nga anti reflection layer) kas pagarigan, daytoy ket naporma babaen ti proseso ti epitaxial growth (kas ti plasma enhanced chemical vapor deposition a pamay-an ti PECVD). Dagiti espesipiko nga addang ket kastoy:
Panagproseso ti Substrate: Kalpasan ti proseso ti panagdalus ti semikonduktor iti substrate layer, ikabil ti substrate layer iti CVD deposition equipment.
Dagiti Pagsaad ti Parametro ti Alikamen: Kontrolen ti temperatura ti makinngato nga elektrodo ti alikamen ti CVD deposition iti 200-300℃ken ti temperatura ti makinbaba nga elektrodo iti 250-350℃.
Panagdakkel ti umuna nga anti reflection layer: Baliwan dagiti umuna a parametro ti panagibukbok ti alikamen ti panagibukbok ti CVD, a mairaman ti umuna a tomo a panagayus a rate ti SIH ₄, n 2, ken n 3, ti umuna a presion ti gas, ti umuna a bileg ti RF ti alikamen ti panagibukbok ti CVD, ti umuna a naingpis a pelikula a panagideposito, kdpy., wenno ania man a kombinasion daytoy, tapno dumakkel ti umuna a panaganinaag a sapasap a saklaw ti maysa a kapuskol a saklaw ti 10-2 a saklaw ti 10 nga indise ti 10 nga indise ti 10 nga indise ti 10 nga indise ti 10 a saklaw ti maysa a refdek nga addaan iti umuna nga indise ti panaganina 1.4-1.71.
Panagdakkel ti maikadua nga anti reflection layer: Baliwan ti maikadua a parametro ti panagibukbok ti alikamen ti panagibukbok ti CVD, a mairaman ti maikadua a tomo a panagayus a rate ti SIH ₄, n 2, ken N 2, ti maikadua a presion ti gas, ti maikadua a bileg ti RF ti maysa nga alikamen ti panagideposito ti CVD, ti maikadua a naingpis a pelikula a panagibukbok, kdpy. Refractive index range ti 1.4-1.71.

Dagiti teknolohikal a pagimbagan .
Babaen ti panagusar ti isu met laeng a material ti panagdakkel, ti anti reflection film ket makagun-od ti isu met laeng nga anti reflection effect no idilig kadagiti naurnong nga anti reflection films ti nadumaduma a material, a mangkissay kadagiti kita ti gas a gubuayan a nausar, a mangpababa iti rigat ti proseso ti panagsagana, ken mangpaadu iti lugar a pagsaganaan ken lugar a pagtrabahuan gapu iti pannakaidulin ken pannakausar dagiti gubuayan ti gas bayat ti proseso ti panagsagana.

Proseso ti panagaramid ti Hybrid SiO 2/TiO 2 Anti a mangyanninaw a pelikula .

Proseso ti Teknolohikal .
Panagisagana ti substrato: Pilien dagiti transparent a substrate a kas ti sarming, organiko a sarming, polyimide film, kdpy., ken mangaramid ti panagagas ti panagikkat ti mantsa tapno masigurado ti nadalus ken buli-nawaya a rabaw. No kasapulan, ti single-Sided wenno Double-Panagpasileng ti sikigan ket mabalin a maaramid tapno mapasayaat ti episiensiana iti panagipatulod ti lawag.
Panagisagana ti Prekursor ti Pelikula: Tetraethoxysilane (teos) ken tetrabutyl titanate (TBT) ket mainayon iti ethanol a naglaon ti NH ₄ OH iti maysa a naikeddeng a proporsion, ken ti reaksion ket natengngel para iti 9-12 nga oras tapno makagun-od ti transparent a sistema ti sol - gel.
Coating and curing: Ti naisagana a sol gel system ket agpapada ti pannakakalupkopna iti transparent substrate, ken mabalin nga usaren ti spin coating, spraying, brushing ken dadduma pay nga eskema. Kalpasan ti kalupkop, ti mestiso a SIO 2/TiO 2 a pelikula a prekursor ket naikabil iti maysa nga urno para iti panagagas ken panag-annealing a panagagas, a mangporma ti maysa a multi-a suson nga estruktura.
Sirkular a kalupkop: Uliten ti proseso ti kalupkop ken panagpaimbag agingga a magun-od ti tarigagayan nga anti reflective effect. Dagiti nadumaduma a panawen ti kalupkop ken dagiti panagsasaruno ket mangapektarto ti panagaramid dagiti anti reflective films, ken kasapulan ti panagsirarak ken optimization.
Panagpaagas iti rabaw: Tapno mapaadu ti kinaandur ken kinatalged ti anti reflective film, ti maysa a suson ti hydrophilic ken hydrophobic polymer ket mabalin a malupkopan iti rabaw ti anti reflective film.

Proseso ti panagaramid ti infrared anti reflective film .
Proseso ti Teknolohikal .
Ti infrared anti reflection film ket naibatay iti silicon ken nakaluban kadagiti anti reflection films iti agsumbangir a sikigan ti substrate. Ti estruktura ti sistema ti pelikula ti anti reflection film ket agwaywayas iti tunggal maysa a kas (HL) ^ s, a sadiay ti H ket mangibagi ti SI a sapasap, ti L ket mangibagi ti SiO a sapasap, ti S ket mangibagi ti panawen ti HL a batayan nga estruktura, ken ti pateg ti S ket maysa nga intero a bilang iti nagbaetan ti 3-6. Ti Si a suson ket kabangibang ti substrato, ken ti SiO a suson ket mabirukan iti rabaw. Ti proseso ti kalupkop ket naus-usar a mangikapet ti suson ti pelikula iti substrato, nga addaan ti SIO a suson ti pelikula a kas ti akinruar a suson, nga addaan iti nangato a kinatangken ti rabaw ken saan a kasapulan ti kanayonan a mangsalaknib a suson. Iti pay maipatinayon, ti SIO ket addaan iti nababbaba a refractive index, a mabalin a mangkissay iti panaganinaag ti rabaw ken ad-adda a mangpaadu iti infrared transmittance.

Proseso ti panagaramid ti nangato a{{20}}Temperature Resistant CO 2 2.
Teknolohikal nga Proseso .
Material Pre melting: Ti naisina a pre melting treatment ket maaramid iti yttrium fluoride, calcium yttrium fluoride, ken zinc selenide film materials tapno maikkat dagiti rugit iti uneg dagiti materiales ti pelikula.
Deposition film layer: Ti umuna a yttrium fluoride layer, yttrium calcium fluoride layer, zinc selenide layer, ken maikadua a yttrium fluoride layer ket agsasaruno a naideposito iti maysa a zinc selenide substrate layer nga addaan iti kapuskol iti 3 ± 0.1mm babaen ti vacuum evaporation. Ti kalawa ti sakup ti tunggal maysa a suson ket nasurok a 95% ti kalawa ti rabaw ti substrato a suson. Dagiti kasapulan ti pisikal a kapuskol para iti tunggal maysa a suson ket kas ti sumaganad: ti pisikal a kapuskol ti umuna a yttrium fluoride layer ket 95-100 a nanometro; Ti pisikal a kapuskol ti ytterbium calcium fluoride layer ket 860-870 a nanometro; Ti pisikal a kapuskol ti zinc selenide layer ket 240-250 a nanometro; Ti pisikal a kapuskol ti maikadua a yttrium fluoride layer ket 95-100 a nanometro.
 

Dagiti teknolohikal a pagimbagan .
Ti naisagana nga anti reflection membrane ket addaan iti simple nga estruktura ken napipintas a disenio. Ti uppat a suson a kombinasion ket addaan kadagiti pakabigbigan ti nangato a temperatura a resistensia, nangato a transmittance, natibker a membrane layer, komplementario a stress iti nagbaetan dagiti membrane layers, ken saan a pannakaburak dagiti membrane layers. Daytoy ket mabalin a makasangpet ti agtultuloy a panagpataray dagiti paset iti sidong dagiti kasasaad ti nangato a temperatura, ken dagiti materiales a maus-usar iti tunggal maysa a suson ket saan a radioaktibo, a saan a mangpataud ti pannakadadael kadagiti operador ken ti aglawlaw.